第一财经记者了解到，长鑫科技（688825.SH）的核心子公司长鑫存储总裁曹堪宇在10月10日的第四届集成芯片和芯粒大会上透露了一项新的DRAM（动态随机存取存储器）技术进展。曹堪宇介绍了名为4F²的DRAM架构，并表示长鑫存储预计年底将推出采用这项技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
曹堪宇表示，该架构在DRAM存储阵列晶体管上进行了创新，VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管采用垂直包围沟道结构，以实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，竖立的晶体管有助于面积微缩，提升存储密度。
DRAM行业正朝着存储密度更大的方向发展。DRAM芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。F（最小特征尺寸）代表晶圆制造工艺中光刻技术能实现的最小线宽或间距。4F²代表每个单元占4倍最小特征尺寸的平方。而目前DRAM行业内主流的架构是6F²。从6F²走向4F²，单位面积内晶体管数量增多，存储密度有所提升。
此外，4F²还针对传统一体化制造中的工艺瓶颈给出了解决办法。
据介绍，4F²技术早期聚焦2D维度晶体管设计，存储阵列区域与外围逻辑电路区域的制造工艺被绑定在同一套光刻和掺杂条件中，性能不及6F²。而随着6F²架构微缩难度增大，业内转而推动4F²架构从二维转向三维，实现方式包括让DRAM与CMOS制造工艺解耦、用晶圆级混合键合技术实现高速互联，以独立优化逻辑性能和存储单元密度，一定程度上摆脱工艺瓶颈。曹堪宇表示，长鑫4F²架构相关的公开专利族超300件，数量行业领先。
推出这项新技术也是长鑫拓展服务器内存市场的一个尝试。在服务器内存领域，海外存储厂商长期占据优势，长鑫下游此前则偏重消费电子。相比于追求“跑得快”的消费级内存，服务器内存产品技术难度偏大，需要支持服务器不间断运行。
曹堪宇此次表示，长鑫存储将4F²架构的首代产品定为DDR5 RDIMM，准备用这一技术应对服务器内存领域的技术与工程壁垒。
在服务器领域，9月的业绩说明会上，长鑫科技总经理赵纶针对第一财经记者提出的问题回应称，上半年公司持续在服务器领域拓展业务，应用于这一领域的产品贡献已有所增加。
近期长鑫也频繁更新技术进展。8月底，长鑫科技宣布，最新一代低功耗内存LPDDR6量产。长鑫科技成为业内较早量产LPDDR6的厂商。9月，长鑫存储在世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（G5）实现量产，该平台接近全球最顶尖的内存量产平台制程。
据市场研究机构Counterpoint数据，按全球DRAM厂商的收入计算，长鑫科技今年第二季度市场份额为7%，市占率排名第四。
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